当我们考虑到半导体制程时，射频(RF)电源及其相关频率的选择变得至关重要。由于RF电源能够帮助产生等离子体，因此它不仅决定了材料的沉积速率，还影响着沉积质量、特性和晶体结构。今天将深入探讨射频在芯片制造中的关键作用，射频的常见频率，以及为何正确的频率选择。

什么是电磁波频率？

电磁波频率以赫兹( Hz )为单位进行测量，它表示电磁波传输时每秒的周期数。一赫兹等于每秒一个周期。在电磁波中，波长与频率成反比，即

波长=波速/频率

λ=v/f

什么是RF？

RF，Radio Frequency，就是射频电流，它是一种高频交流变化电磁波。射频频谱包括范围从 3kHz 到 300 GHz 的电磁波频率。它被分为几个频段，可分为低频（LF）、中频（MF），高频（HF），超高频 (SHF) 和极高频 (EHF)等 ，以便于识别。

RF能量与频率的关系

电磁辐射的能量与其频率成正比,即频率越高，能量越大。可用公式表示为：

E=h*f

‍‍其中 h是普朗克常数，�f是辐射的频率。

半导体设备射频电源的常见频率

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13.56MHZ

13.56 MHz是最普遍的RF电源频率。13.56 MHz是由国际射频工程师协会(SEMI)和国际无线电通讯联盟（ITU）确定的工业标准射频。这种特定频率选择的原因是基于用于工业 (I)、科学 (S) 和医疗 (M) 仪器的频率带宽的分配。该频段称为 ISM 频段，中心频率为 13.56 MHz，带宽为 14 KHz，标准化的规范可以帮助设备制造商减少了与其他频率可能引起的干扰。

2.45GHZ

2.45 GHz是微波频率中的一个特定频率，当我们提及"2.45 GHz微波"，人们往往首先会想到家用微波炉，但它的应用不仅限于此。2.45 GHz 的频率产生的等离子体一般能量较高，这意味着它可以更有效地产生等离子体，尤其是在低压下。这个频率一般对应于微波射频，可以使用磁场辅助生成等离子体，如在微波电子回旋共振（ECR）等离子体源中所见。

2MHZ与4MHZ

通常能产生较高的离子流密度，通常与13.56MHZ，2.45GHZ结合在一起使用，以平衡离子能量、离子流密度和等离子体均匀性。

如何选择RF电源频率?

13.56 MHz提供了良好的等离子体密度和适中的离子能量，使其适用于多种蚀刻和沉积应用。相比较于13.56 MHz，2.45 GHz可以产生更高的等离子体密度，可能更适用于需要高离子密度的应用。2 MHz 和 4 MHz可以为蚀刻提供更好的轮廓控制，特别是在深度蚀刻或高方向性蚀刻中。

因此，选择合适的RF电源频率，对于做好产品也十分重要。半导体制造，要注意细节！

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